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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS841E18AT-180I |
| 廠(chǎng)商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 18 Sync Cache Tag |
| 中文描述： | 256K X 18 CACHE TAG SRAM, 8 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/21頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 421K |
| 代理商： | GS841E18AT-180I |
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GS841E18AT/B-180/166/150/130/100
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
12/21
2001, GSI Technology
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Symbol
-180
-166
-150
-133
-100
Unit
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70
°
C
–40
to
+85
°
C
0
to
70
°
C
–40
to
+85
°
C
0
to
70
°
C
–40
to
+85
°
C
0
to
70
°
C
–40
to
+85
°
C
O
perating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
O
r
≤
V
IL
Output
open
I
DD
Pipeline
335
345
310
320
275
285
250
260
190
200
mA
I
DD
Flow
Through
210
220
190
200
190
200
140
150
140
150
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
– 0.2 V
I
SB
Pipeline
20
30
30
40
30
40
30
40
30
40
mA
I
SB
Flow
Through
20
30
30
40
30
40
30
40
30
40
mA
Deselect
Supply Current
Device Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
OR
≤
V
IL
I
DD
Pipeline
55
65
110
120
105
115
100
110
80
90
mA
I
DD
Flow
Through
40
50
80
90
80
90
65
75
65
75
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS841Z18AGT-100 | 4Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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