- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄299161 > GS8642V18E-250 (GSI TECHNOLOGY) 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS8642V18E-250 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 17 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 26/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 1168K |
| 代理商： | GS8642V18E-250 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁當(dāng)前第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁
Product Preview
GS8642V18(B/E)/GS8642V36(B/E)/GS8642V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 9/2004
32/39
2004, GSI Technology
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Unit Notes
1.8 V Test Port Input High Voltage
VIHJ
0.6 * VDD
VDD +0.3
V1
1.8 V Test Port Input Low Voltage
VILJ
–0.3
0.3 * VDD
V1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINHJ
–300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
IINLJ
–1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
IOLJ
–11
uA
4
Test Port Output High Voltage
VOHJ
1.7
—
V5, 6
Test Port Output Low Voltage
VOLJ
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
VOHJC
VDDQ – 100 mV
—
V5, 8
Test Port Output CMOS Low
VOLJC
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1. Input Under/overshoot voltage must be –2 V > Vi < VDDn +2 V not to exceed 3.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
2. VILJ ≤ VIN ≤ VDDn
3. 0 V
≤ VIN ≤ VILJn
4. Output Disable, VOUT = 0 to VDDn
5. The TDO output driver is served by the VDDQ supply.
6. IOHJ = –4 mA
7. IOLJ = + 4 mA
8. IOHJC = –100 uA
9. IOHJC = +100 uA
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as as shown unless otherwise noted.
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDDQ/2
Output reference level
VDDQ/2
DQ
VDDQ/2
50
30pF*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8642ZV36GB-167IT | 2M X 36 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119 |
| GS864418GE-225IV | 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| GS8644V18GE-150 | 4M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| GS8662S36BD-300I | 2M X 36 STANDARD SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8662S36BGD-300 | 2M X 36 STANDARD SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8642V36GB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 72MBIT 2MX36 5.5NS/2.3NS 119FBGA - Trays |
| GS8642V72C-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 72MBIT 1MX72 8NS/3.5NS 209FBGA - Trays |
| GS8642V72C-167I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 72MBIT 1MX72 8NS/3.5NS 209FBGA - Trays |
| GS8642V72GC-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 72MBIT 1MX72 7.5NS/3NS 209FBGA - Trays |
| GS8642V72GC-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 72MBIT 1MX72 5.5NS/3NS 209FBGA - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。