參數(shù)資料
型號： GS864418E-200
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件頁數(shù)： 16/32頁
文件大?。?/td> 811K
代理商： GS864418E-200
Preliminary
GS864418/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.05 6/2006
16/32
2003, GSI Technology
Pipeline Mode Timing (SCD)
Begin
Read A
Cont
Cont
Deselect Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
Q(A)
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
Burst Read
tKL
tKC
tKH
Single Write
Single Read
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
A
B
C
Deselected with E1
E1 masks ADSP
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
ADSC initiated read
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS864418E-200I 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-200IV 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-200V 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-225 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-225I 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
GS864418E-200I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-200IV 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS864418E-200V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
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