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參數(shù)資料
| 型號： | GS864418E-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 3/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 811K |
| 代理商： | GS864418E-200I |
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Preliminary
GS864418/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.05 6/2006
3/32
2003, GSI Technology
165-Bump BGA—x36 Common I/O—Top View
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11 x 15 Bump BGA—15 mm x 17 mm Body—1.0 mm Bump Pitch
(Package E)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS864418E-200IV | 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864418E-200V | 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864418E-225 | 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864418E-225I | 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864418E-225IV | 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS864418E-200IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864418E-200V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864418E-225 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864418E-225I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864418E-225IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
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