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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS864418E-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 36 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/32頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 811K |
| 代理商： | GS864418E-200I |
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Preliminary
GS864418/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.05 6/2006
5/32
2003, GSI Technology
A1
A0
A0
A1
D0
D1
Q1
Q0
Counter
Load
D
Q
D
Q
Register
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
R
D
Q
R
A0–An
LBO
ADV
CK
ADSC
ADSP
GW
BW
B
A
E
1
FT
G
ZZ
Power Down
Control
Memory
Array
36
36
4
A
Q
D
DQx1–DQx9
36
36
Note: Only x36 version shown for simplicity.
SCD
36
36
B
B
B
C
B
D
GS864418/36E-xxxV Block Diagram
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PDF描述 |
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