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參數(shù)資料
| 型號： | GS880E18 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 8Mb（512K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(8M位（512K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）) |
| 中文描述： | 8MB的（為512k × 18位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（800萬位（為512k × 18位）同步靜態(tài)隨機存儲器（帶2位脈沖地址計數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 16/25頁 |
| 文件大小： | 850K |
| 代理商： | GS880E18 |
Rev: 1.11 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
16/25
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS880E18/32/36T-11/11.5/100/80/66
Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
G
WR2
WR3
WR1
WR1
WR2
WR3
tKC
Single Write
Burst Write
D2
A
D2
B
D2
C
D2
D
D3
A
D1
A
t
KL
t
KH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
Write specified byte for 2
A
and all bytes for 2
B
, 2c& 2
D
ADV must be inactive for ADSP Write
ADSC initiated write
ADSP is blocked by E inactive
A
0
–A
n
B
A
–B
D
DQ
A
–DQ
D
Write
Deselected
Hi-Z
E
1
E
3
tS tH
tS tH
tS tH
E
2
and E
3
only sampled with ADSP or ADSC
E
1
masks ADSP
E
2
Deselected with E
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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