參數(shù)資料
型號(hào)： GTT8209E
廠商： GTM CORPORATION
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
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代理商： GTT8209E
GTT8209E
Page: 1/4
ISSUED DATE :2006/08/08
REVISED DATE :
G
G T
T T
T 88220099E
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N -- C
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T
Description
The GTT8209E used advanced trench technology to provide excellent on-resistance extremely efficient and
cost-effectiveness device.
The GTT8209E is universally used for all commercial-industrial applications.
Features
* Lower Gate Charge
*Small Package Outline
*RoHS Compliant
Package Dimensions
Millimeter
REF.
Min.
Max.
REF.
Min.
Max.
A
1.10 MAX.
L
0.45 REF.
A1
0
0.10
L1
0.60 REF.
A2
0.70
1.00
0°
10°
c
0.12 REF.
b
0.30
0.50
D
2.70
3.10
e
0.95 REF.
E
2.60
3.00
e1
1.90 REF.
E1
1.40
1.80
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Drain-Source Voltage
VDS
20
V
Gate-Source Voltage
VGS
±12
V
Continuous Drain Current3
ID @TA=25 :
7
A
Continuous Drain Current3
ID @TA=70 :
5.7
A
Pulsed Drain Current1,2
IDM
30
A
Total Power Dissipation
PD @TA=25 :
1.2
W
Linear Derating Factor
0.01
W/ :
Operating Junction and Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 ~ +150
:
Thermal Data
Parameter
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance Junction-ambient3 Max.
Rthj-a
110
: /W
BVDSS
20V
RDS(ON)
21m
ID
7A
Pb Free Plating Product
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