參數(shù)資料
型號(hào)： GY50NC60WD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-channel 600V - 50A - Max247 Very fast PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道600V的- 50A條- Max247非?？焖貾owerMESH IGBT的
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大小： 125K
代理商： GY50NC60WD
Electrical characteristics
STGY50NC60WD
4/11
2
Electrical characteristics
(T
CASE
=25°C unless otherwise specified)
Table 3.
Static
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
BR(CES)
Collector-emitter
breakdown voltage
I
C
= 1mA, V
GE
= 0
600
V
V
CE(sat)
Collector-emitter saturation
voltage
V
GE
= 15V, I
C
= 40A
V
GE
= 15V, I
C
=40A,Tc=125°C
1.9
1.7
2.5
V
V
V
GE(th)
Gate threshold voltage
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
3.75
5.75
V
I
CES
Collector cut-off current
(V
GE
= 0)
V
GE
= Max rating,T
C
= 25°C
V
GE
= Max rating,T
C
= 125°C
250
1
μA
mA
I
GES
Gate-emitter leakage
current (V
CE
= 0)
V
GE
= ±20V , V
CE
= 0
±100
nA
g
fs
Forward transconductance
V
CE
= 15V
,
I
C
= 20A
20
S
Table 4.
Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
C
ies
C
oes
C
res
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
V
CE
= 25V, f = 1MHz,
V
GE
= 0
4700
410
90
pF
pF
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
Total gate charge
Gate-emitter charge
Gate-collector charge
V
CE
= 390V, I
C
= 40A,
V
GE
= 15V,
Figure 2
155
32.4
82.2
nC
nC
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GZ34 HIGH-VACUUM FULL-WAVE RECTIFIER
GZB2.0~36
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GZB33 Silicon Planar Type 1.0mW Zener Diode(功率損耗為1.0mW的硅平面型齊納二極管)
GZB24 Silicon Planar Type 1.0mW Zener Diode(功率損耗為1.0mW的硅平面型齊納二極管)
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參數(shù)描述
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