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參數(shù)資料
| 型號： | GY50NC60WD |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-channel 600V - 50A - Max247 Very fast PowerMESH IGBT |
| 中文描述： | N溝道600V的- 50A條- Max247非?？焖貾owerMESH IGBT的 |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 125K |
| 代理商： | GY50NC60WD |
STGY50NC60WD
Electrical characteristics
5/11
Table 5.
Switching on/off (inductive load)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Turn-on delay time
Current rise time
Turn-on current slope
V
CC
= 390V, I
C
= 40A
R
G
= 10
, V
GE
= 15V,
Figure 3
52
17
2400
ns
ns
A/μs
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Turn-on delay time
Current rise time
Turn-on current slope
V
CC
= 390V, I
C
= 40A
R
G
= 10
, V
GE
= 15V,
Tj = 125°C
Figure 3
50
19
2000
ns
ns
A/μs
t
r(Voff)
t
d(Voff)
t
f
Off voltage rise time
Turn-off delay time
Current fall time
V
CC
= 390V, I
C
= 40A
R
G
= 10
, V
GE
= 15V,
Figure 3
31
240
35
ns
ns
ns
t
r(Voff)
t
d(Voff)
t
f
Off voltage rise time
Turn-off delay time
Current fall time
V
CC
= 390V, I
C
= 40A
R
G
= 10
, V
GE
= 15V,
Tj = 125°C
Figure 3
60
280
63
ns
ns
ns
Table 6.
Switching energy (inductive load)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
1.
Eon is the tun-on losses when a typical diode is used in the test circuit in
Figure 4
If the IGBT is offered in
a package with a co-pak diode, the co-pack diode is used as external diode. IGBTs & Diode are at the
same temperature (25°C and 125°C)
2.
Turn-off losses include also the tail of the collector current
Turn-on switching losses
Turn-off switching losses
Total switching losses
V
CC
= 390V, I
C
= 40A
R
G
= 10
, V
GE
= 15V,
Figure 1
365
560
925
470
790
1260
μJ
μJ
μJ
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
Turn-on switching losses
Turn-off switching losses
Total switching losses
V
CC
= 390V, I
C
= 40A
R
G
= 10
, V
GE
= 15V,
Tj = 125°C
Figure 1
635
910
1545
μJ
μJ
μJ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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