- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371759 > H5N2503P PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | H5N2503P |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 108K |
| 代理商： | H5N2503P |
H5N2503P
Rev.1, Jun. 2002, page 6 of 10
S
Drain Current I
D
(A)
Switching Characteristics
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
C
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1000
200
500
100
20
50
10
0
20
40
60
80
100
20000
50000
10000
1000
2000
5000
500
400
300
200
100
0
20
16
12
8
4
40
Gate Charge Qg (nC)
80
120
160
200
0
10000
1000
10
100
0.1
0.3
1
3
10
30
100
200
500
100
50
V = 50 V
100 V
200 V
V = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
I = 50 A
V
DS
V
GS
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
di / dt = 100 A / μs
V = 0, Ta = 25
°
C
V = 200 V
100 V
50 V
r
d(on)
t
d(off)
t
tf
V = 10 V, V = 125 V
PW = 10
μ
s, duty < 1 %
R =10
r
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H5N2504DL | Datasheet|ADE-208-1375A|JUN.11.02|102K |
| H5N2504DS | Datasheet|ADE-208-1375A|JUN.11.02|102K |
| H5N2505DL | Datasheet|ADE-208-1376|MAR.20.01|34K |
| H5N2505DS | Datasheet|ADE-208-1376|MAR.20.01|34K |
| H5N2508DL | Datasheet|ADE-208-1377|MAR.20.01|58K |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| H5N2504DL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Datasheet|ADE-208-1375A|JUN.11.02|102K |
| H5N2504DL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H5N2504DS | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H5N2504DS-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 250V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S) Box |
| H5N2504DSTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。