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參數(shù)資料
| 型號： | H5N5006FM |
| 英文描述： | Datasheet|ADE-208-1112|MAR.20.01|50K |
| 中文描述： | 技術(shù)資料|腺- 208 - 1112 | MAR.20.01 | 5萬 |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | H5N5006FM |
H5N5001FM
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-1380 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Features
Low on-resistance
Low leakage current
High speed switching : tf = 15ns typ (at V
GS
= 10 V, V
DD
= 250 V, I
D
= 2.5 A)
Low gate charge
: Qg = 15nC typ (at V
DD
= 400 V, V
GS
= 10 V, I
D
= 5 A)
Avalanche ratings
: R
DS(on)
=1.1
typ.
: I
DSS
=1
μ
A max (at V
DS
= 500 V)
Outline
123
TO–220FM
1. Gate
2. Drain
3. Source
D
G
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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| H5N5006LD-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H5N5006LM | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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