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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | H7N0312LS |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速電源開(kāi)關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 133K |
| 代理商： | H7N0312LS |
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H7N0312LD, H7N0312LS, H7N0312LM
Rev.1, Aug. 2002, page 2 of 11
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
30
V
Gate to source voltage
±20
V
Drain current
85
A
Drain peak current
Note 1
340
A
Body-drain diode reverse drain current I
DR
Channel dissipation
85
A
Pch
θ
ch-c
Tch
Note 2
125
W
Channel to Case Thermal Impedance
1.0
°C/W
Channel temperature
150
°C
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25°C
Tstg
–55 to +150
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H7N0608LD | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H7N0608LM | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H7N0608LS | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H7N1004LD | Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching |
| H7N1004M | Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| H7N0312LSTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H7N0401LD | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H7N0401LD-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H7N0401LM | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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