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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | H7N0312LS |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 133K |
| 代理商： | H7N0312LS |
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H7N0312LD, H7N0312LS, H7N0312LM
Rev.1, Aug. 2002, page 7 of 11
Pulse Width PW (s)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
N
γ
s
100
80
60
40
20
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
5 V
V = 0 V
10 V
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
Tc = 25
°
C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
DM
P
PW
T
D =T
ch - c
ch - c = 1.0
°
C/ W, Tc = 25
°
C
θ γ
θ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| H7N0608LD | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H7N0608LM | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H7N0608LS | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H7N1004LD | Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching |
| H7N1004M | Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| H7N0312LSTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H7N0401LD | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H7N0401LD-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| H7N0401LM | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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