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參數(shù)資料
| 型號： | HAT2016R |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS FET的高速電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | HAT2016R |
HAT2016R
8
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width (1 Drive Operation)
N
s
γ
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
1000
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1sho puse
DM
P
PW
T
D =T
ch – f = 125
°
C/W, Ta = 25
°
C
When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6 mm)
θ
γ θ
θ
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
1000
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width (2 Drive Operation)
N
s
γ
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1sho puse
DM
P
PW
T
D =PW
T
ch – f = 166
°
C/W, Ta = 25
°
C
When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6 mm)
θ
γ θ
θ
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PDF描述 |
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