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參數資料
| 型號： | HAT2129H-EL-E |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場效應管電源開關 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | HAT2129H-EL-E |
HAT2129H
Rev.5.00 Sep 20, 2005 page 4 of 7
Case Temperature Tc (
°
C)
S
D
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
F
Drain Current I
D
(A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
20
15
10
5
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
I
D
= 20 A
I
D
= 5 A, 10 A, 20 A
V
GS
= 7 V
10 V
Pulse Test
3
30
0.1
1
10
100
0.3
10
100
30
1
0.3
3
0.1
Tc = -25
°
C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
75
°
C
25
°
C
5 A, 10 A
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
C
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Drain Current I
D
(A)
S
Switching Characteristics
0.1
0.3
1
3
10
30
100
20
50
10
0
10
20
30
40
10000
3000
1000
300
100
30
10
Ciss
Coss
Crss
V
GS
= 0
f = 1 MHz
1000
100
30
300
10
1
3
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0, Ta = 25
°
C
0.3
1
3
10
30
100
0.1
100
50
40
30
20
10
0
20
16
12
8
4
20
40
60
80
100
0
0
I
D
= 30 A
V
GS
V
DS
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
Gate Charge Qg (nc)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
tf
tr
td(off)
td(on)
V
GS
= 10 V , V
DS
= 10 V
Rg = 4.7 , duty
≤
1 %
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT2160H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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參數描述 |
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| HAT2134H-EL-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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