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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HAT2165H |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 80K |
| 代理商： | HAT2165H |
Rev.5.00, Apr.09.2003, page 1 of 10
HAT2165H
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
REJ03G0004-0500Z
(Previous ADE-208-1632C (Z))
Rev.5.00
Apr.09.2003
Features
High speed switching
Capable of 4.5 V gate drive
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
R
DS(on)
= 2.5 m
typ. (at V
GS
= 10 V)
Outline
LFPAK
1234
5
1, 2, 3 Source
4 Gate
5 Drain
G
D
S S S
1 2
4
3
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| HAT2165N | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| HAT2165N_08 | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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