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參數(shù)資料
| 型號： | HAT2164H |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場效應管電源開關 |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 80K |
| 代理商： | HAT2164H |
HAT2164H
Rev.4.00, Apr.09.2003, page 3 of 10
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown voltage
V
(BR)DSS
30
—
—
V
I
D
= 10 mA, V
GS
= 0
I
G
= ±100
μ
A, V
DS
= 0
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0
Gate to source breakdown voltage
V
(BR)GSS
± 20
—
—
V
μ
A
μ
A
V
m
m
S
Gate to source leak current
I
GSS
—
—
± 10
Zero gate voltage drain current
I
DSS
—
—
1
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
0.8
—
2.3
V
DS
= 10 V,
I
D
= 1 mA
I
D
= 30 A, V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 30 A, V
GS
= 4.5 V
Note4
I
D
= 30 A, V
DS
= 10 V
Note4
Static drain to source on state
R
DS(on)
—
2.5
3.1
resistance
R
DS(on)
—
3.0
4.4
Forward transfer admittance
|y
fs
|
78
130
—
Input capacitance
Ciss
—
7600
—
pF
V
DS
= 10 V
Output capacitance
Coss
—
1050
—
pF
V
GS
= 0
Reverse transfer capacitance
Crss
—
470
—
pF
nc
f = 1 MHz
Gate Resistance
Rg
—
0.5
—
Total gate charge
Qg
—
50
—
V
DD
= 10 V
Gate to source charge
Qgs
—
22
—
nc
V
GS
= 4.5 V
Gate to drain charge
Qgd
—
10
—
nc
I
D
= 60 A
Turn-on delay time
t
d(on)
—
18
—
ns
V
GS
= 10 V, I
D
= 30 A
V
DD
10 V
R
L
= 0.33
Rg = 4.7
IF = 60 A, V
GS
= 0
Note4
Rise time
t
r
—
60
—
ns
Turn-off delay time
t
d(off)
—
65
—
ns
Fall time
t
f
—
15
—
ns
Body–drain diode forward voltage
V
DF
—
0.82
1.07
V
Body–drain diode reverse recovery
time
Notes: 4. Pulse test
t
rr
—
40
—
ns
IF = 60 A, V
GS
= 0
diF/ dt = 100 A/ μs
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT2165H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2165N | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2166H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2167H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2167H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HAT2165H | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| HAT2165H_05 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2165H-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 55A 5PIN LFPAK - Tape and Reel |
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