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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HAT2165N |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 158K |
| 代理商： | HAT2165N |
HAT2165N
Rev.0.01, Jul.15.2004, page 3 of 6
Main Characteristics
C
Case Temperature Tc (
°
C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
100
80
60
40
20
0
2
4
6
8
10
100
80
60
40
20
0
1
2
3
4
5
Tc = 75
°
C
25
°
C
-25
°
C
40
30
20
10
0
50
100
150
200
V = 10 V
Pulse Test
V = 2.2 V
10 V
4.5 V
2.4 V
2.6 V
2.8 V
3.0 V
Pulse Test
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
100
10
1
0.1
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
500
Tc = 25
°
C
1 shot Pulse
PW = 10 ms
10
μ
s
100
μ
s
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
DC Operaton
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
250
200
150
100
50
0
4
8
12
16
20
Pulse Test
I = 50 A
10 A
20 A
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
10
Pulse Test
2
5
1
30
300
1
10
100
1000
3
V = 4.5 V
10 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT2166H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2167H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2167H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2168H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2169H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HAT2166H | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| HAT2166H_05 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2166H-EL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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