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參數(shù)資料
| 型號： | HAT2165N |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | HAT2165N |
HAT2165N
Rev.0.01, Jul.15.2004, page 5 of 6
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
D. U. T
Rg
I
Monitor
AP
V
Monitor
DS
V
DD
50
Vin
15 V
0
I
D
V
DS
I
AP
V
(BR)DSS
L
V
DD
E
AR
= 1
I
AP
2
2
V
V - V
DSS
DD
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
100
80
60
40
20
25
50
75
100
125
150
0
Channel Temperature Tch (C)
R
A
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
I = 30 A
V = 15 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
100
80
60
40
20
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Pulse Test
5 V
V = 0
10 V
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
10 V
R
L
V
= 10 V
DS
tr
td(on)
Vin
90%
90%
10%
10%
Vout
td(off)
Vout
Monitor
90%
10%
t
f
Switching Time Test Circuit
Switching Time Waveform
Rg
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT2166H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2167H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2167H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2168H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2169H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HAT2166H | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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