參數(shù)資料
型號(hào)： HAT2168H
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
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代理商： HAT2168H
HAT2168H
Rev.6.00, Jun.02.2003, page 3 of 10
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
30
—
—
V
I
D
= 10 mA, V
GS
= 0
Gate to source breakdown voltage V
(BR)GSS
±20
—
—
V
μ
A
μ
A
V
m
m
S
I
G
= ±100
μ
A, V
DS
= 0
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0
Gate to source leak current
I
GSS
—
—
±10
Zero gate voltage drain current
I
DSS
—
—
1
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
1.0
—
2.5
V
DS
= 10 V,
I
D
= 1 mA
I
D
= 15 A, V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 15 A, V
GS
= 4.5 V
Note4
I
D
= 15 A, V
DS
= 10 V
Note4
Static drain to source on state
R
DS(on)
—
6.0
7.9
resistance
R
DS(on)
—
8.8
13.5
Forward transfer admittance
|y
fs
|
30
50
—
Input capacitance
Ciss
—
1730
—
pF
V
DS
= 10 V
Output capacitance
Coss
—
400
—
pF
V
GS
= 0
Reverse transfer capacitance
Crss
—
130
—
pF
nc
f = 1 MHz
Gate Resistance
Rg
—
0.55
—
Total gate charge
Qg
—
11
—
V
DD
= 10 V
Gate to source charge
Qgs
—
5
—
nc
V
GS
= 4.5 V
Gate to drain charge
Qgd
—
2.4
—
nc
I
D
= 30 A
Turn-on delay time
t
d(on)
—
8
—
ns
V
GS
= 10 V, I
D
= 15 A
V
DD
10 V
R
L
= 0.67
Rg = 4.7
IF = 30 A, V
GS
= 0
Note4
Rise time
t
r
—
20
—
ns
Turn-off delay time
t
d(off)
—
40
—
ns
Fall time
t
f
—
4
—
ns
Body–drain diode forward voltage V
DF
—
0.85
1.10
V
Body–drain diode reverse
recovery time
Notes: 4. Pulse test
t
rr
—
25
—
ns
IF = 30 A, V
GS
= 0
diF/ dt = 100 A/ μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HAT2169H-EL-E Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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HAT2170H-EL-E Silicon N Channel MOSFET Power Switching
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參數(shù)描述
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HAT2168N 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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