參數(shù)資料
型號： HAT2168H
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 77K
代理商： HAT2168H
HAT2168H
Rev.6.00, Jun.02.2003, page 5 of 10
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
100
Pulse Test
Case Temperature Tc (
°
C)
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
20
F
Drain Current I (A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
20
10
2
5
1
3
30
16
12
8
4
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
1
10
100
1000
0.3
50
V = 4.5 V
10 V
R
D
I = 20 A
D
5 A, 10 A, 20 A
V = 4.5 V
10 V
Pulse Test
3
30
0.1
1
10
100
0.3
10
100
30
1
0.3
3
0.1
Tc = -25
°
C
V = 10 V
Pulse Test
75
°
C
25
°
C
250
200
150
100
50
0
4
8
12
16
20
Pulse Test
I = 20 A
5 A
10 A
10 A, 5A
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PDF描述
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