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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HAT2170H-EL-E |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOSFET Power Switching |
| 中文描述： | 硅N溝道MOSFET功率開關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | HAT2170H-EL-E |
HAT2170H
Rev.5.00, Sep 26, 2005, page 7 of 7
Package Dimensions
0.25
M
1
1
3
1
4.9
5.3 Max
4.0 ± 0.2
1
4
5
4
3.3
0° – 8°
0
+
–
0.20
+0.05
–0.03
0
+
–
0.25
+0.05
–0.03
6
+
–
Package Name
PTZZ0005DA-A
LFPAK
MASS[Typ.]
0.080g
SC-100
RENESAS Code
JEITA Package Code
1.27
0.40 ± 0.06
0.75 Max
0.10
(Ni/Pd/Au plating)
Unit: mm
Ordering Information
Part Name
Quantity
Shipping Container
HAT2170H-EL-E
Note: For some grades, production may be terminated. Please contact the Renesas sales office to check the state of
production before ordering the product.
2500 pcs.
Emboss Taping
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HAT2171H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2171H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| HAT2173H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HAT2172H-EL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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