參數(shù)資料
型號： HAT2171H-EL-E
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： HAT2171H-EL-E
Rev.4.00 Sep 20, 2005 page 1 of 7
HAT2171H
Silicon N Channel Power MOS FET
Power Switching
REJ03G0131-0400
Rev.4.00
Sep 20, 2005
Features
High speed switching
Capable of 7 V gate drive
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
R
DS(on)
= 3.8 m
typ. (at V
GS
= 10 V)
Outline
RENESAS Package code: PTZZ0005DA-A)
(Package name: LFPAK )
1234
5
1, 2, 3 Source
4 Gate
5 Drain
G
D
S S S
1 2 3
4
5
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°
C/W
°
C
°
C
Item
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
I
DR
I
AP
Note 2
E
AR
Note 2
Pch
Note3
θ
ch-C
Tch
Tstg
Ratings
40
±20
40
160
40
25
50
25
5.0
150
–55 to +150
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to Case Thermal Resistance
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. Value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
3. Tc = 25
°
C
Note1
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PDF描述
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