參數(shù)資料
型號： HAT2172H
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應管電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： HAT2172H
HAT2172H
Rev.4.00, Oct.29.2003, page 3 of 9
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
40
—
—
V
I
D
= 10 mA, V
GS
= 0
Gate to source breakdown voltage V
(BR)GSS
± 20
—
—
V
μ
A
μ
A
V
m
m
S
I
G
= ±100
μ
A, V
DS
= 0
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0
Gate to source leak current
I
GSS
—
—
± 10
Zero gate voltage drain current
I
DSS
—
—
1
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
1.5
—
3.0
V
DS
= 10 V,
I
D
= 1 mA
I
D
= 15 A, V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 15 A, V
GS
= 7 V
Note4
I
D
= 15 A, V
DS
= 10 V
Note4
Static drain to source on state
R
DS(on)
—
5.8
7.5
resistance
R
DS(on)
—
6.6
9.2
Forward transfer admittance
|y
fs
|
27
45
—
Input capacitance
Ciss
—
2420
—
pF
V
DS
= 10 V
Output capacitance
Coss
—
480
—
pF
V
GS
= 0
Reverse transfer capacitance
Crss
—
150
—
pF
nc
f = 1 MHz
Gate Resistance
Rg
—
0.5
—
Total gate charge
Qg
—
32
—
V
DD
= 10 V
Gate to source charge
Qgs
—
9
—
nc
V
GS
= 10 V
Gate to drain charge
Qgd
—
4.0
—
nc
I
D
= 30 A
Turn-on delay time
t
d(on)
—
12
—
ns
V
GS
= 10 V, I
D
= 15 A
V
DD
10 V
R
L
= 0.67
Rg = 4.7
IF = 30 A, V
GS
= 0
Note4
Rise time
t
r
—
20
—
ns
Turn-off delay time
t
d(off)
—
38
—
ns
Fall time
t
f
—
4.5
—
ns
Body–drain diode forward voltage V
DF
—
0.84
1.10
V
Body–drain diode reverse
recovery time
Notes: 4. Pulse test
t
rr
—
32
—
ns
IF = 30 A, V
GS
= 0
diF/ dt = 100 A/ μs
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