參數(shù)資料
型號： HAT2179R-EL-E
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?通道場效應晶體管高速電源開關
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： HAT2179R-EL-E
REJ03G1570-0100 Rev.1.00 Jul 06, 2007
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HAT2179R
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
REJ03G1570-0100
Rev.1.00
Jul 06, 2007
Features
Low on-resistance
Low drive current
High density mounting
Outline
RENESAS Package code: PRSP0008DD-D
(Package name: SOP-8<FP-8DAV>)
1, 2, 3 Source
4 Gate
5, 6, 7, 8 Drain
G
D
S S S
1 2 3
D D D
4
5 6 7 8
1234
5
6
7
8
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
A
W
°
C
°
C
Item
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D (pulse)
I
DR
I
DR (pulse)
Pch
Note2
Tch
Tstg
Ratings
600
±
30
0.7
2.0
0.7
2.0
2.5
150
–55 to +150
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Body-drain diode reverse drain peak current
Channel dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm), PW
≤
10 s
Note1
Note1
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PDF描述
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參數(shù)描述
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