參數(shù)資料
型號： HAT2198R
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 125K
代理商： HAT2198R
Rev.2.00, Oct.18.2004, page 1 of 7
HAT2198R
Silicon N Channel Power MOS FET
Power Switching
REJ03G0062-0200
Rev.2.00
Oct.18.2004
Features
High speed switching
Capable of 4.5 V gate drive
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
R
DS(on)
= 7.2 m
typ. (at V
GS
= 10 V)
Outline
SOP-8
1234
5
6
7
8
1, 2, 3 Source
4 Gate
5, 6, 7, 8 Drain
G
D
S S S
1
2
D D D
4
3
5
6 7 8
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°
C/W
°
C
°
C
Item
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
I
DR
I
AP
Note 2
E
AR
Note 2
Pch
Note3
θ
ch-a
Note3
Tch
Tstg
Ratings
30
±20
14
112
14
14
19.6
2.5
50
150
–55 to +150
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to ambient thermal impedance
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. Value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
3. When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm), PW
≤
10s
Note1
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PDF描述
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