參數(shù)資料
型號(hào)： HAT2240C-EL-E
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 86K
代理商： HAT2240C-EL-E
HAT2240C
Rev.4.00 Apr 05, 2006 page 2 of 6
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
V
(BR)DSS
V
(BR)GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS(off)
R
DS(on)
R
DS(on)
|yfs|
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
V
DF
Min
60
±
12
—
—
0.4
—
—
3.3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Typ
—
—
—
—
75
85
5
590
60
35
17
50
41
4
6
1.2
1.4
0.8
Max
—
±
10
1
1.4
98
119
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.1
Unit
V
μ
A
μ
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Test conditions
I
D
= 10 mA, V
GS
= 0
I
G
=
±
100
μ
A, V
DS
= 0
V
GS
=
±
10 V, V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V, I
D
= 1 mA
I
D
= 1.3 A, V
GS
= 4.5 V
Note3
I
D
= 1.3 A, V
GS
= 2.5 V
Note3
I
D
= 1.3 A, V
DS
= 10 V
Note3
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
f = 1 MHz
Drain to source breakdown voltage
Gate to source breakdown voltage
Gate to source leak current
Drain to source leak current
Gate to source cutoff voltage
Drain to source on state resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn - on delay time
Rise time
Turn - off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate to source charge
Gate to drain charge
Body - drain diode forward voltage
Notes: 3. Pulse test
I
D
= 1.3 A
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 10 V
R
L
= 7.7
, Rg = 4.7
V
DD
= 10 V, V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.5 A
I
F
= 2.5 A, V
GS
= 0
Note3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAT2244WP-EL-E Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2244WP Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2299WP Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT3001F
HAT3004R
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HAT2244WP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 80V 30A 8PIN WPAK - Tape and Reel
HAT2244WP_10 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2244WP-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 80V 30A WPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2261H-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2265H 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*