參數(shù)資料
型號： HAT2240C
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道場效應(yīng)晶體管功率開關(guān)
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 86K
代理商： HAT2240C
HAT2240C
Rev.4.00 Apr 05, 2006 page 4 of 6
200
160
120
80
40
–25
0
25
50
75
100 125
150
0
0.3
0.1
3
100
10
1
0.1
1
10
0
20
30
40
50
60
10000
1000
3000
80
0
8
60
6
20
4
40
2
2
4
6
8
10
0
1000
1
0.1
10
100
0.3
1
3
10
300
100
10
30
Ciss
Coss
Crss
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10
4
V
GS
= 0 V
2.5 V
4.5 V
Pulse Test
2
6
8
4.5 V
V
DD
V
GS
I
D
= 2.5 A
0.5 A, 1.3 A, 2.5 A
I
D
= 0.5 A, 1.3 A, 2.5 A
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
F
S
D
)
Case Temperature Tc (
°
C)
Drain Current I
D
(A)
C
Gate Charge Qg (nC)
Dynamic Input Characteristics
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
D
D
G
G
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Switching Characteristics
S
Drain Current I
D
(A)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
R
D
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V
R
G
= 4.7
, Ta = 25
°
C
tr
td(off)
td(on)
tf
V
GS
= 0
f = 1 MHz
V
GS
= 2.5 V
Pulse Test
75
°
C
25
°
C
Tc = –25
°
C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAT2240C-EL-E Silicon N Channel MOS FET Power Switching
HAT2244WP-EL-E Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2244WP Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2299WP Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT3001F
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HAT2240C-EL-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 6-Pin CMFPAK T/R Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 6-Pin CMFPAK T/R
HAT2244WP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 80V 30A 8PIN WPAK - Tape and Reel
HAT2244WP_10 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2244WP-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 80V 30A WPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2261H-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*