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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HAT3006R |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel / P Channel Power MOS FET(N/P溝道MOEFET) |
| 中文描述： | 硅?頻道/ P通道功率MOS FET（N / P系列溝道MOEFET） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/14頁(yè) |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | HAT3006R |
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HAT3006R
3
Note: 5. Pulse test
Static drain to source on state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Body–drain diode forward voltage
R
DS(on)
R
DS(on)
|y
fs
|
Ciss
Coss
Crss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DF
—
—
4
—
—
—
—
—
—
—
—
0.07
0.11
6
660
440
140
24
165
35
70
– 0.9
0.09
0.18
—
—
—
—
—
—
—
—
– 1.4
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
I
D
= – 3 A, V
GS
= –10V
Note5
I
D
= – 3 A, V
GS
= \-–4V
Note5
I
D
= – 3 A, V
DS
= –10V
Note5
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
f = 1MHz
V
GS
= – 4 V, I
D
= – 3 A
V
DD
@ –10 V
IF = – 4.5 A, V
GS
= 0
Note5
Body–drain diode reverse
recovery time
t
rr
—
60
—
ns
IF = –4.5 A, V
GS
= 0
diF/ dt = 20A/
μ
s
Item
Symbol Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT3008R | Silicon N/P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT3008RJ | Silicon N/P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| HAX1000-S | Current Transducers HAX 500 to 2500-S |
| HAX1200-S | Current Transducers HAX 500 to 2500-S |
| HAX1500-S | Current Transducers HAX 500 to 2500-S |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HAT3006R-EL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel / P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT3008R | 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N/P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT3008R_09 | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N / P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT3008R-EL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N / P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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