參數(shù)資料
型號： HAT3010R
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大小： 61K
代理商： HAT3010R
2.0
1.5
1.0
0.5
0
C
50
100
150
200
Ambient Temperature Ta (°C)
Power vs. Temperature Derating
2DieOeain
1DiveOpeaion
Test Condition :
When using the glass epoxy board
(40 x 40 x 1.6 mm)
10
8
6
4
2
0
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
2
4
6
8
10
10 V
6 V
4 V
3 V
2.5 V
Pulse Test
2 V
V = 1.5 V
10
8
6
4
2
0
Gate to Source Voltage V (V)
GS
D
D
Typical Transfer Characteristics
1
2
3
4
5
V = 10 V
Pulse Test
Tc = 75°C
25°C
–25°C
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
1
10
100
0.3
3
30
1ms
PW=
10 μs100 μs
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
Ta = 25 °C
1 shot pulse
HAT3001F(N channel)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAT3021R Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching
HAT3021R-EL-E Silicon N/P Channel Power MOS FET Power Switching
HB100S2403.3 Analog IC
HB100S4803.3 Analog IC
HB150S2405 Analog IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HAT3015R 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N/P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
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