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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HE8404SG |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | GaAlAs Infrared Emitting Diode(GaAlAs紅外發(fā)射二極管) |
| 中文描述： | 發(fā)動(dòng)器紅外線發(fā)光二極管（紅外發(fā)射二極管的GaAIAs） |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 19K |
| 代理商： | HE8404SG |
HE8404SG
GaAlAs Infrared Emitting Diode
Description
The HE8404SG is a GaAlAs double heterojunction structure 820 nm band light emitting diode. It is
suitable for use as the light source in a wide range of optical control and sensing equipment.
Features
High efficiency, high output
1
Internal Circuit
Package Type
HE8404SG: SG1
2
Absolute Maximum Ratings
(T
C
= 25°C)
Item
Symbol
Rated Value
Units
Forward current
I
F
V
R
Topr
250
mA
Reverse voltage
3
V
Operating temperature
–20 to +60
°C
Storage temperature
Tstg
–40 to +90
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HE8807FL | GaAlAs Infrared Emitting Diodes |
| HE8807SG | GaAlAs Infrared Emitting Diodes |
| HE8811 | GaAlAs Infrared Emitting Diode(GaAlAs紅外發(fā)射二極管) |
| HE8812SG | GaAlAs Infrared Emitting Diode |
| HEC4094BD | 8-stage shift-and-store bus register |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HE8404SG_06 | 制造商:OPNEXT 制造商全稱:OPNEXT 功能描述:GaAlAs Infrared Emitting Diode |
| HE8404SG-A | 制造商:Opnext 功能描述:820 NM 40 MW VISIBLE LASER DIODE - Rail/Tube |
| HE84760 | 制造商:KB 制造商全稱:KB 功能描述:8-bit Micro-controller |
| HE84760(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| HE84760B | 制造商:KB 制造商全稱:KB 功能描述:8-bit Micro-controller |
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