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參數(shù)資料
| 型號： | HE8404SG |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | GaAlAs Infrared Emitting Diode(GaAlAs紅外發(fā)射二極管) |
| 中文描述： | 發(fā)動器紅外線發(fā)光二極管（紅外發(fā)射二極管的GaAIAs） |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 19K |
| 代理商： | HE8404SG |
HE8404SG
2
Optical and Electrical Characteristics
(T
C
= 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Test Conditions
Optical output power
P
O
λ
p
λ
V
F
I
R
Ct
40
—
—
mW
I
F
= 200 mA
I
F
= 200 mA
I
F
= 200 mA
I
F
= 200 mA
V
R
= 3 V
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
I
F
= 50 mA
Peak wavelength
790
820
850
nm
Spectral width
—
50
—
nm
Forward voltage
—
—
2.5
V
Reverse current
—
—
100
μA
Capacitance
—
30
—
pF
Rise and fall time
tr, tf
—
10
—
ns
Typical Characteristic Curves
0
50
100
150
200
250
0
10
20
30
40
50
60
Forward current, I
F
(mA)
O
O
(
T
C
0
°
C
25
°
C
40
°
C
60
°
C
=
20
°
C
Optical Output Power vs. Forward Current
Forward voltage, V
F
(V)
0
1.0
2.0
50
200
250
F
F
(
0.5
1.5
2.5
100
150
T
C
=
20
°
C
25
°
C
60
°
C
Forward Current vs. Forward Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HE8807FL | GaAlAs Infrared Emitting Diodes |
| HE8807SG | GaAlAs Infrared Emitting Diodes |
| HE8811 | GaAlAs Infrared Emitting Diode(GaAlAs紅外發(fā)射二極管) |
| HE8812SG | GaAlAs Infrared Emitting Diode |
| HEC4094BD | 8-stage shift-and-store bus register |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HE8404SG_06 | 制造商:OPNEXT 制造商全稱:OPNEXT 功能描述:GaAlAs Infrared Emitting Diode |
| HE8404SG-A | 制造商:Opnext 功能描述:820 NM 40 MW VISIBLE LASER DIODE - Rail/Tube |
| HE84760 | 制造商:KB 制造商全稱:KB 功能描述:8-bit Micro-controller |
| HE84760(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| HE84760B | 制造商:KB 制造商全稱:KB 功能描述:8-bit Micro-controller |
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