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參數(shù)資料
型號： HEF4000BP,652
廠商： NXP Semiconductors
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 0K
描述： IC DUAL 3-IN NOR GATE 14-DIP
產(chǎn)品培訓模塊： Logic Packages
標準包裝： 1,000
系列： 4000B
邏輯類型： 或非/反相門
電路數(shù)： 2
輸入數(shù)： 7 輸入（3，3，1）
安裝類型： 通孔
封裝/外殼： 14-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 14-DIP
包裝： 管件
其它名稱： HEF4000BP652-CHP
January 1995
3
Philips Semiconductors
Product specication
Dual 3-input NOR gate and inverter
HEF4000B
gates
DC CHARACTERISTICS
For the single inverter stage (I7/O3):
see Family Specifications for input voltages HIGH and LOW (unbuffered stages only).
AC CHARACTERISTICS
VSS = 0 V; Tamb =25 °C; CL = 50 pF; input transition times ≤ 20 ns
VDD
V
SYMBOL
TYP.
MAX.
TYPICAL EXTRAPOLATION
FORMULA
Propagation delays
5
70
140
ns
43 ns
+ (0,55 ns/pF) CL
I1 to I6 → O1,O2
10
tPHL; tPLH
35
70
ns
24 ns
+ (0,23 ns/pF) CL
15
30
55
ns
22 ns
+ (0,16 ns/pF) CL
5
45
90
ns
18 ns
+ (0,55 ns/pF) CL
I7 → O3
10
tPHL; tPLH
25
50
ns
14 ns
+ (0,23 ns/pF) CL
(unbuffered output)
15
20
40
ns
12 ns
+ (0,16 ns/pF) CL
Output transition times
5
60
120
ns
10 ns
+ (1,0 ns/pF) CL
HIGH to LOW
10
tTHL
30
60
ns
9 ns
+ (0,42 ns/pF) CL
15
20
40
ns
6 ns
+ (0,28 ns/pF) CL
5
60
120
ns
10 ns
+ (1,0 ns/pF) CL
LOW to HIGH
10
tTLH
30
60
ns
9 ns
+ (0,42 ns/pF) CL
15
20
40
ns
6 ns
+ (0,28 ns/pF) CL
VDD
V
TYPICAL FORMULA FOR P (
W)
Dynamic power
5
1 000 fi +∑ (foCL) × VDD2
where
dissipation per
10
7 700 fi +∑ (foCL) × VDD2
fi = input freq. (MHz)
package (P)
15
28 700 fi +∑ (foCL) × VDD2
fo = output freq. (MHz)
CL = load capacitance (pF)
∑ (f
oCL) = sum of outputs
VDD = supply voltage (V)
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