- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370618 > HM514400BL (Hitachi,Ltd.) 1,048,576-word X 4-bit Dynamic Random Access Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HM514400BL |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 1,048,576-word X 4-bit Dynamic Random Access Memory |
| 中文描述： | 1,048,576字× 4位動態(tài)隨機存取存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 6/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 235K |
| 代理商： | HM514400BL |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁當(dāng)前第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Voltage on any pin relative to V
SS
Supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
T
V
CC
Iout
–1.0 to +7.0
V
–1.0 to +7.0
V
50
mA
Power dissipation
P
T
Topr
1.0
W
Operating temperature
0 to +70
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +125
Recommended DC Operating Conditions
(Ta = 0 to +70
°
C)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Note
Supply voltage
V
SS
V
CC
V
IH
V
IL
0
0
0
V
4.5
5.0
5.5
V
1
Input high voltage
2.4
—
6.5
V
1
Input low voltage
–1.0
—
0.8
V
1
Note:
1. All voltage referred to V
SS
.
6
HM514400B/BL, HM514400C/CL Series
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM514400C | 1,048,576-word X 4-bit Dynamic Random Access Memory |
| HM514400CL | 1,048,576-word X 4-bit Dynamic Random Access Memory |
| HM5164165F | 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5164165FJ-5 | 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5164165FJ-6 | 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM514400BLR-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HM514400BLR-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HM514400BLR-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HM514400BLRR-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| HM514400BLRR-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。