參數(shù)資料
型號： HM5225165B
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 256M LVTTL interface SDRAM(256M LVTTL接口同步DRAM)
中文描述： 256M LVTTL接口的SDRAM（256M LVTTL接口同步的DRAM）
文件頁數(shù)： 25/64頁
文件大?。?/td> 802K
代理商： HM5225165B
HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
25
Auto Precharge
Read with auto-precharge:
In this operation, since precharge is automatically performed after completing a
read operation, a precharge command need not be executed after each read operation. The command executed
for the same bank after the execution of this command must be the bank active (ACTV) command. In
addition, an interval defined by l
APR
is required before execution of the next command.
CAS
latency
Precharge start cycle
3
2 cycle before the final data is output
2
1 cycle before the final data is output
Burst Read
(Burst Length = 4)
CLK
lAPR
lRAS
lAPR
CL=2 Command
CL=3 Command
DQ (input)
DQ (input)
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
And an interval of t
RAS
(l
RAS
) is required between previous active (ACTV) command and internal precharge " ".
ACTV
READ A
ACTV
out3
out2
out1
out0
lRAS
ACTV
READ A
ACTV
out3
out2
out1
out0
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