參數(shù)資料
型號(hào)： HM5257165B-A6
廠商： Elpida Memory, Inc.
英文描述： CABLE ASSEMBLY
中文描述： 512M LVTTL接口SDRAM的133 MHz/100 MHz的8 Mword】16位】4-bank/16-Mword】8位】4銀行/ 32 Mword】4位】4銀行PC/133，電腦/ 100內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 32/62頁(yè)
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代理商： HM5257165B-A6
HM5257165B/HM5257805B/HM5257405B-75/A6
Data Sheet E0081H10
32
Write with auto precharge to Read command interval
1.
Different bank:
When some banks are in the active state, the second read command (another bank) is
executed. However,in case of a burst write, data will continue to be written until one clock before the read
command is executed. The internal auto-precharge of one bank starts at the next clock of the second
command.
Write with Auto Precharge to Read Command Interval
(Different bank)
CLK
Command
BS
Dout
Din
WRIT A
READ
out B0
out B1
out B2
out B3
CAS
Latency = 3
Burst Length = 4
bank0
Write A
bank3
Read
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
DQM,
DQMU/DQML
in A0
2. Same bank:
The consecutive read command from write with auto precharge (the same bank) is illegal. It
is necessary to separate the two commands with a bank active command.
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PDF描述
HM5257165BTD-75 512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
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HM5257805B-75 Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; Number of Contacts:30; Connector Shell Size:18; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:18-30
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