參數(shù)資料
型號(hào)： HM5257805BTD-A6
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述： 64M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 23/62頁(yè)
文件大?。?/td> 463K
代理商： HM5257805BTD-A6
HM5257165B/HM5257805B/HM5257405B-75/A6
Data Sheet E0081H10
23
Burst Length
READ
CLK
Command
Dout
ACTV
Row
Column
out 0
out 6
out 7
Address
out 0 out 1
out 4
out 5
out 0
out 1 out 2 out 3
BL = 1
out 0 out 1 out 2
out 3
BL = 2
BL = 4
BL = 8
t
RCD
BL : Burst Length
CAS
Latency = 2
Write operation:
Burst write or single write mode is selected by the OPCODE (BA1, BA0, A12, A11, A10,
A9, A8) of the mode register.
1. Burst write:
A burst write operation is enabled by setting OPCODE (A9, A8) to (0, 0). A burst write
starts in the same clock as a write command set. (The latency of data input is 0 clock.) The burst length can
be set to 1, 2, 4 and 8, like burst read operations. The write start address is specified by the column address
and the bank select address (BA0/BA1) at the write command set cycle.
WRIT
CLK
Command
Din
ACTV
Row
Column
in 0
in 6
in 7
Address
in 1
in 4
in 5
in 3
BL = 1
BL = 2
BL = 4
BL = 8
t
RCD
in 0
in 0
in 0
in 1
in 1
in 2
in 2
in 3
CAS
Latency = 2, 3
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PDF描述
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