參數(shù)資料
型號: HM5259165BTD-A6
廠商: ELPIDA MEMORY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述: 32M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù): 36/63頁
文件大小: 368K
代理商: HM5259165BTD-A6
HM5259165B/HM5259805B/HM5259405B-75/A6
Data Sheet E0118H10
36
Write command to Precharge command interval (same bank):
When the precharge command is executed
for the same bank as the write command that preceded it, the minimum interval between the two commands is
1 clock. However, if the burst write operation is unfinished, the input data must be masked by means of
DQM, DQMU/DQML for assurance of the clock defined by t
DPL
.
WRITE to PRECHARGE Command Interval (same bank)
Burst Length = 4
(To stop write operation)
CLK
Command
Din
WRIT
PRE/PALL
t
DPL
DQM,
DQMU/DQML
CLK
in A0
in A1
Command
Din
WRIT
PRE/PALL
DQM,
DQMU/DQML
t
DPL
Burst Length = 4
(To write all data)
CLK
in A0
in A1
in A2
Command
Din
WRIT
PRE/PALL
in A3
DQM,
DQMU/DQML
t
DPL
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PDF描述
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