參數(shù)資料
型號: HM5259165BTD-A6
廠商: ELPIDA MEMORY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述: 32M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù): 61/63頁
文件大?。?/td> 368K
代理商: HM5259165BTD-A6
HM5259165B/HM5259805B/HM5259405B-75/A6
Data Sheet E0118H10
61
Power Down Mode
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
BS
Address
DQM,
DQMU/DQML
DQ (input)
DQ (output)
Precharge command
If needed
Power down entry
Active Bank 0
Power down
CKE Low
R: a
A10=1
RP
t
High-Z
Power down cycle
RAS
-
CAS
delay = 3
CAS
latency = 3
Burst length = 4
= V or V
IL
Initialization Sequence
7
8
9
10
52
53
54
48
49
50
51
Auto Refresh
Bank active
RC
t
RC
t
Auto Refresh
Valid
0
1
2
3
4
5
6
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
Address
DQM,
DQMU/DQML
DQ
t
valid
RSA
tRP
All banks
Mode register
V
IH
V
IH
55
High-Z
code
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PDF描述
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