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參數資料
| 型號： | HQ1A4A |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | COMPOUND TRANSISTOR |
| 中文描述： | 復合晶體管 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | HQ1A4A |
Data Sheet D16183EJ1V0DS
4
HQ1 SERIES
HQ1A4A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
20 V, I
E
= 0
100
nA
DC current gain
h
FE1
**
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
0.1 A
200
DC current gain
h
FE2
**
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
1.0 A
150
DC current gain
h
FE3
**
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
2.0 A
50
Collector saturation voltage
V
CE(sat)
**
I
C
=
1.0 A, I
B
=
20 mA
0.35
0.45
V
Low level input voltage
V
IL
**
V
CE
=
5.0 V, I
C
=
100
μ
A
0.3
V
Input resistance
R
1
k
E-to-B resistance
R
2
7
10
13
**PW
≤
350
μ
s, duty cycle
≤
2 %
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HQ1A3M | COMPOUND TRANSISTOR |
| HQ1L2N | COMPOUND TRANSISTOR |
| HQ1L2Q | COMPOUND TRANSISTOR |
| HQ1F2Q | COMPOUND TRANSISTOR |
| HQ1F3M | COMPOUND TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HQ1F2Q | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:COMPOUND TRANSISTOR |
| HQ1F3M | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:COMPOUND TRANSISTOR |
| HQ1F3P | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:COMPOUND TRANSISTOR |
| HQ1F3P-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HQ1L2N | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:COMPOUND TRANSISTOR |
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