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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HRW1002A |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢(shì)壘二極管) |
| 中文描述： | 硅肖特基二極管整頓（用于整流的肖特基勢(shì)壘二極管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/6頁(yè) |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | HRW1002A |
HRW1002A(S)
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°
C)
*
1
Item
Symbol
Value
Unit
Repetitive peak reverse
voltage
V
RRM
*2
20
V
Average forward current
I
O
*
2 ,
*
3
I
FSM
10
A
Non-Repetitive peak
forward surge current
*4
75
A
Junction temperature
Tj
125
°
C
°
C
Storage temperature
Notes: 1. Per one device
Notes: 2. See from Fig. 4 to Fig. 7
Notes: 3. Square wave, Duty (1/2), Sum of two devices
Notes: 4. 10m sec sine wave 1 pulse
Tstg
-40 to +125
Electrical Characteristics (Ta = 25
°
C)
*
1
Item
Forward voltage
Symbol
V
F
I
R
—
Min
—
Typ
—
Max
0.42
Unit
V
Test Condition
I
F
= 5.0A
V
R
= 20V
C = 200pF
Both forward and reverse direction 1 pulse
Reverse current
—
—
1.0
mA
ESD-capability
500
—
—
V
Thermal resistance
Notes
1. Per one device
Rth (j-c)
—
1.5
—
°
C/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HRW1002AS | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢(shì)壘二極管) |
| HRW1002B | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢(shì)壘二極管) |
| HRW2502B | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢(shì)壘二極管) |
| HRW2502AS | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢(shì)壘二極管) |
| HRW2502AL | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HRW2502AL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| HRW2502AS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| HRW2502B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| HRW26 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Schottky Barrier Diode for High Frequency Rectifying |
| HRW36 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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