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參數(shù)資料
| 型號： | HRW1002A |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢壘二極管) |
| 中文描述： | 硅肖特基二極管整頓（用于整流的肖特基勢壘二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | HRW1002A |
HRW1002A(S)
4
Main Characteristic
2
4
1
3
5
2
1
3
5
4
0
Forward current
@@
IF
@
(
A)
Fig4.F
orward power dissipation
Vs. Forward current
0
0
0
Fig5.
Reverse power dissipation
Vs. Reverse voltage
0
10
20
5
15
25
F
Reverse voltage
@@
VR
@
(
V)
R
Sin
D=1/3
D=1/2
Case temperature Tc ( °C)
A
(
Fig.6 Average rectified current Vs. case temperature
D=1/6
DC
t
T
0V
D=
\
Tj =125°C
D=1/2
D=2/3
Sin
D=5/6
0
50
100
25
75
125
-25
2.0
1.0
3.0
t
T
0A
D=
\
Tj =25°C
4.0
2
1
3
4
5
6
VR=VRRM
Tj =125°C
Rth(j-c)=1.5°C/W
Per one device
DC
Sin
D=1/2
D=1/3
D=1/6
0
Case temperature Tc ( °C)
A
(
Fig.7 Average rectified current Vs. case temperature
0
50
100
25
75
125
-25
4
2
6
8
10
12
VR=VRRM
Tj =125°C
Rth(j-c)=1.5°C/W
Two device total
DC
Sin
D=1/2
D=1/3
D=1/6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HRW1002AS | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢壘二極管) |
| HRW1002B | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢壘二極管) |
| HRW2502B | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢壘二極管) |
| HRW2502AS | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢壘二極管) |
| HRW2502AL | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HRW2502AL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| HRW2502AS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| HRW2502B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| HRW26 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Schottky Barrier Diode for High Frequency Rectifying |
| HRW36 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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