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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HRW1002B |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢(shì)壘二極管) |
| 中文描述： | 硅肖特基二極管整頓（用于整流的肖特基勢(shì)壘二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 28K |
| 代理商： | HRW1002B |
HRW1002B
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
*
1
Item
Symbol
Value
Unit
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
*
I
O
*
I
FSM
*
Tj
2
20
V
Average forward current
3
10
A
Non-Repetitive peak forward surge current
4
75
A
Junction temperature
125
°C
Storage temperature
Notes: 1. Per one device
2. See Fig.5
3. Square wave, Duty (1/2), Sum of two devices See Fig.4
4. Sine wave 10msec
Tstg
–40 to +125
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
*
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Forward voltage
V
F
I
R
—
—
—
0.42
V
I
F
= 5.0A
V
R
= 20V
C = 200pF
Both forward and reverse direction
1 pulse
Reverse current
—
—
1.0
mA
ESD-capability
500
—
—
V
Thermal resistance
Note: Per one device
Rth (j-c)
—
3.0
—
°C/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HRW2502B | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢(shì)壘二極管) |
| HRW2502AS | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢(shì)壘二極管) |
| HRW2502AL | |
| HRW2502AS | |
| HRW2502B | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HRW2502AL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| HRW2502AS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| HRW2502B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| HRW26 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Schottky Barrier Diode for High Frequency Rectifying |
| HRW36 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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