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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HRW2502B |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 21K |
| 代理商： | HRW2502B |
0
1150
50
1100
25
75
1125
Case temperature Tc ( °C)
0
0
25
10
15
5
R
PPer one device
30
20
Package Dimensions
Unit: mm
HRW2502A L
0
0
25
Case temperature Tc ( °C)
5
10.2 ± 0.3
0.86
0.76 ± 0.1
2.54 ± 0.5
2.54 ± 0.5
+ 0.2
– 0.1
1.2 ± 0.2
4.44 ± 0.2
1.3 ± 0.2
2.59 ± 0.2
0.4 ± 0.1
1
8
1
1
+
–
(
1.27 ± 0.2
(
W2502A
Lot No.
1
3
2
1 Anode
2 Cathode
3 Anode
HITACHI Code LDPAK L
JEDEC Code —
EIAJ Code —
Weight (g) 1.4
0
150
50
100
75
125
A
0
20
10
30
Vout = 3V
25
15
5
50
25
75
0
25
10
15
5
R
I I =12.5A
30
20
Fig.5 Repetitive peak reverse voltage
Vs. Case temperature
Fig.4 Average forward current
Vs.Case temperature
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HRW2502A | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢(shì)壘二極管) |
| HRW2502AL | Silicon Schottky Barrier Diode for Rectifying(用于整流的肖特基勢(shì)壘二極管) |
| HRW26F | Silicon Schottky Barrier Diode for High Frequency Rectifying(用于高頻整流的肖特基勢(shì)壘二極管) |
| HRW34 | |
| HRW34F | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HRW26 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon Schottky Barrier Diode for High Frequency Rectifying |
| HRW36 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| HRWA1000W-10R-J-HP | 制造商:RFE 制造商全稱:RFE international 功能描述:HIGH POWER WIRE WOUND RESISTOR HRW Series: Non-Flammable, Wire Wound |
| HRWA1000W-10R-J-HS | 制造商:RFE 制造商全稱:RFE international 功能描述:HIGH POWER WIRE WOUND RESISTOR HRW Series: Non-Flammable, Wire Wound |
| HRWA1000W-10R-J-HX | 制造商:RFE 制造商全稱:RFE international 功能描述:HIGH POWER WIRE WOUND RESISTOR HRW Series: Non-Flammable, Wire Wound |
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