參數資料
型號： HSC226
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon Schottky Barrier Diode
中文描述： 硅肖特基二極管
文件頁數： 2/5頁
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代理商： HSC226
HSC226
Rev.1, Aug. 2000, page 2 of 5
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Value
Unit
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
I
FSM
*
I
F
Tj
25
V
Non-Repetitive peak forward surge current
200
mA
Forward current
50
mA
°
C
°
C
Junction temperature
125
55 to +125
Storage temperature
Note:
10ms Sinewave 1pulse
Tstg
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Forward voltage
V
F1
V
F2
I
R
C
—
—
0.33
V
I
F
= 1 mA
I
F
= 5 mA
V
R
= 20 V
V
R
= 1 V, f = 1 MHz
—
—
0.38
Reverse current
—
—
0.45
μ
A
pF
Capacitance
—
—
2.80
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