參數(shù)資料
型號： HSC226
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon Schottky Barrier Diode
中文描述： 硅肖特基二極管
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 28K
代理商： HSC226
HSC226
Rev.1, Aug. 2000, page 3 of 5
Main Characteristic
Fig.1 Forward current Vs. Forward voltage
Fig.2 Reverse current Vs. Reverse voltage
Forward voltage V (V)
F
F
R
R
Reverse voltage V (V)
Fig.3 Capacitance Vs. Reverse voltage
Reverse voltage V (V)
C
10
10
-8
10
10
10
-4
-7
-6
-5
Ta=25
°
C
Ta=75
°
C
Pulse test
1.0
0
0.8
10
-2
10
-4
10
-6
0.2
0.4
0.6
10
-8
10
10
-3
10
-5
10
-1
10
0
10
1
-7
Ta=25
°
C
Ta=75
°
C
0.1
10
10
0.1
1.0
1.0
f=1MHz
0
10
30
40
20
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HSC22DRAI 功能描述:CONN EDGECARD 44POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:25 位置數(shù):50 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.156"（3.96mm） 特點:- 安裝類型:通孔 端子:繞接線 觸點材料:銅鈹 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點類型：:環(huán)形波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點:齊平安裝，頂開口，無螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 150°C 讀數(shù):雙
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