參數資料
型號： HSDL-4400
英文描述： High-Performance IR Emitter Photodiode in Subminiature SMT Package(高性能 IR發(fā)射器光二極管（微型SMT封裝）)
中文描述： 高性能紅外發(fā)射二極管的微型表面貼裝封裝（高性能紅外發(fā)射器光二極管（微型表面貼裝封裝））
文件頁數： 16/19頁
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代理商： HSDL-4400
16
Figure 12. Reverse Dark Current vs.
Ambient Temperature.
Figure 13. Relative Reverse Light
Current vs. Ambient Temperature.
Figure 10. Relative Radiant Intensity vs. Angular Displacement
HSDL-4420.
R
1.0
0
-100°
θ
– ANGLE FROM OPTICAL CENTERLINE – DEGREES (CONE HALF ANGLE)
0.8
0.6
0.5
0.7
0.2
0.1
0.3
0.4
-80°
-60°
-40°
-20°
0°
20°
40°
60°
80°
100°
0.9
I
F
= 50 mA
T
A
= 25°C
Figure 9. Relative Radiant Intensity vs. Angular Displacement
HSDL-4400.
R
1.0
0
-50°
θ
– ANGLE FROM OPTICAL CENTERLINE – DEGREES (CONE HALF ANGLE)
0.8
0.6
0.5
0.7
0.2
0.1
0.3
0.4
-40°
-30°
-20°
-10°
0°
10°
20°
30°
40°
50°
0.9
I
F
= 50 mA
T
A
= 25°C
Figure 11. Relative Radiant Intensity
vs. Frequency.
R
1E+5
1E+8
2
1
0
-10
f – FREQUENCY – Hz
-4
-5
-6
1E+6
1E+7
-7
-8
-9
-1
-2
-3
T
A
= 25°C
9 MHz
I
D
0
100
10.000
0.001
T
A
– AMBIENT TEMPERATURE – °C
0.100
80
V
R
= 5 V
20
40
60
0.010
1.000
N
-40
100
1.40
0.60
T
A
– AMBIENT TEMPERATURE – °C
1.00
80
-20
20
40
0.80
1.20
1.30
1.10
0.90
0.70
0
60
V
R
= 5 V
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PDF描述
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