參數(shù)資料
型號： HSDL-4400
英文描述： High-Performance IR Emitter Photodiode in Subminiature SMT Package(高性能 IR發(fā)射器光二極管（微型SMT封裝）)
中文描述： 高性能紅外發(fā)射二極管的微型表面貼裝封裝（高性能紅外發(fā)射器光二極管（微型表面貼裝封裝））
文件頁數(shù)： 17/19頁
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代理商： HSDL-4400
17
N
0.01
10
10
0.01
E
e
– IRRADIANCE – mW/cm
2
0.1
0.1
1
1
V
R
= 5 V
T
A
= 25°C
N
0
40
1.40
0.60
V
R
– REVERSE VOLTAGE – V
1.00
35
5
20
25
0.80
1.20
1.30
1.10
0.90
0.70
10
30
15
T
A
= 25°C
C
O
0.1
100
5
0
V
R
– REVERSE VOLTAGE – V
4
3
2
1
10
1
E
e
= 0 mW/cm
2
f = 1 MHz
T
A
= 25°C
Figure 14. Reverse Light Current vs.
Irradiance
Figure 15. Reverse Light Current vs.
Reverse Voltage.
Figure 16. Diode Capacitance vs.
Reverse Voltage.
At the time of this publication, Light Emitting Diodes (LEDs) that are contained in this product are regulated for eye
safety in Europe by the Commission for European Electrotechnical Standardization (CENELEC) EN60825-1. Please
refer to Application Brief I-008 for more information.
Figure 17. Relative Spectral
Sensitivity vs. Wavelength.
N
700
1100
1.2
0
λ
– WAVELENGTH – nm
0.6
1050
750
900 950
0.4
1.0
0.8
0.2
800
1000
850
V
R
= 5 V
T
A
= 25°C
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PDF描述
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