參數(shù)資料
型號： HUF75307T3ST
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2.6A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
中文描述： 2.6 A, 55 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 325K
代理商： HUF75307T3ST
3
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
AMBIENT TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. PEAK CURRENT CAPABILITY
0
50
100
150
0
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
25
50
75
100
125
150
0.5
R
θ
JA
= 110
o
C/W
0.001
0.01
0.1
1
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
Z
θ
J
,
T
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
R
θ
JA
= 110
o
C/W
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
200
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
J
= MAX RATED
T
A
= 25
o
C
R
θ
JA
= 110
o
C/W
100
μ
s
10ms
1ms
V
DSS
(
MAX
) = 55V
LIMITED BY r
DS(ON)
AREA MAY BE
1
10
-3
10
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-2
30
t, PULSE WIDTH (s)
I
D
,
I
=
I
25
150 - T
A
125
R
θ
JA
= 110
o
C/W
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
T
A
= 25
o
C
HUF75307T3ST
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PDF描述
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