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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY27US16561M |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| 中文描述： | 片256Mbit（32Mx8bit / 16Mx16bit）NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 32/44頁 |
| 文件大小： | 733K |
| 代理商： | HY27US16561M |
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Rev 0.7 / Oct. 2004
32
HY27SS(08/16)561M Series
HY27US(08/16)561M Series
256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
Note:1. CLE = Low, ALE = Low, WE = High.
Figure 24. Sequential Data Output after Read AC Waveforms
Figure 25. Read Status Register AC Waveform
I/O
RE
RB
Data Out
Data Out
Data Out
CE
tRLRL
(Read Cycle time)
tEHQZ
tRHQZ
tRLQV
tRHQZ
tRLQV
tBHRL
tRHRL
(RE High Holdtime)
tRLQV
(RE Accesstime)
I/O
RE
CE
WE
CLE
Status Register
Output
70h
tCLLRL
tWHCLL
tWHEH
tCLHWL
tELWL
tWLWH
tELQV
tWHRL
tEHQZ
tRHQZ
tRLQV
tDZRL
tDVWH
(Data Setup time)
tWHDX
(Data Hold time)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27US561M | 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SS16561M | 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08561M | 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SSxxx | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY27SS08121M | 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27US561M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| HY27USXXX | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash |
| HY29DL162 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16M(X8/X16)|3.0V DUAL BANK|70|NOR FLASH - 16M |
| HY29DL162BF-12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
| HY29DL162BF-12I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory |
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